RAM&ROM相关知识

RAM & ROM 相关知识

Rains 2016.4.9

ROM (read only memory) 只读存储器:

ROM这里指的是早期的只读存储器，只可读不可写，写是在出厂时写入的，其工作原理的一类是使用熔丝，一旦熔断不可恢复

PROM （Programmable ROM）可编程ROM
早期ROM的改进型，可以有唯一一次编程机会，使用专门的编程器，原理与熔丝类似

EPROM （Erasable Programmable ROM）擦除可编程ROM
进一步改进型，使用专门的编程器，擦除使用紫外线擦除

EEROM （Electrilly Erasable Programmable ROM）电可擦除ROM
编程电压和平时使用的电压不同，最小修改单位为字节

FLASH ROM
真正的单电压操作，写入时最小单位是字节，存储时的最小单位是块，具体大小看厂家

现在的ROM名字不再完全是早期的只读不能写的意思了，更多的是代表存储器的意思，故大多数都叫flash了

RAM (Random-Access Memory)(随机存取存储器)

读是随机的，可以地址线寻址，直接寻找对应字节读写。与之相对应的顺序存储器，只能按照顺序读写，如果你想要读第344个字节，那么必须先把前面的读出来

RAM也就是常说的电脑内存，而ROM对应的就是flash

IROM （internal ROM ） 芯片内部的ROM 通常是SROM

IRAM  (internal RAM )  芯片内部的RAM 通常是SRAM ，可以直接使用

RAM 包含：

DRAM (Dynamic Random Access Memory) 动态随机存储器 常使用电容来存储，需要定期刷新，掉电后数据丢失
SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器 DRAM的一种

SRAM (statc RAM) 静态随机存储器，掉电后数据保存

区别：

SRAM 静态内存  容量小价格高 ，单片机里常用,不需要软件初始化
DRAM 动态内存  特点是容量大，价格低，但是上电后不能直接使用，需要软件刷新
SROM (static rom) 静态存储器 新

内存  内部存储器 用来运行程序  RAM ：DRAM SRAM
外存  外部存储器 用来存储东西  ROM ：Flash （NAND，INAND U盘）

内存常用配置 ：

内存通过总线连接，直接访问，速度快 随机访问；但是占用CPU空间，大小受限
静态内存  容量小价格高 ，单片机里常用,不需要软件初始化

DRAM 动态内存 特点是容量大，价格低，但是上电后不能直接使用，需要软件刷新

单片机中：内存需求量小，希望开发尽量简单，适合全部使用SRAM

嵌入式中：内存需求量大，没有NorFlash等启动介质

Pc机   ：内存需求量大，软件复杂，适合是用DRAM

单片机:  很小的NorFlash + 很小的SRAM

PC机  :  BIOS 初始化，硬盘读写

嵌入式： NorFlash 很贵 现在很多都是 Nand + DRAM + SRAM的使用方法

外存 ：

外存通过cpu的外存借口连接，不占用CPU空间，但是速度不如总线式快

NorFlash        总线式访问 接SROM口，优点直接访问，一早期的启动方式如2440 ，bios

NandFlash       价格便宜，但是不如NORFlash
分为 SLC安全  MLC 容易出问题
eMMC/inand /movinand   EMMC一种芯片，与iand基本一样 ，是SD卡的芯片化

onenand          三星公司生产的nand

sd/tf卡/mmc卡   三种基本相似

eSSD             MLC的nandflash

Norflash & Nandflash

NorFlash : 容量小，价格高，但是可以和总线直接相连，CPU上电可直接读取，一般作为启动介质

NandFlash:容量大，价格低，不能总线式连接，需要先运行初始化程序，然后通过时序写接口

● NOR的读速度比NAND稍快一些。

● NAND的写入速度比NOR快很多。

● NAND的擦除速度远比NOR快。

● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更加简单。

● NAND的实际应用方式要比NOR复杂的多。

● NOR可以直接使用，并在上面直接运行代码，而NAND需要I/O接口，因此使用时需要驱动

参考：朱老师物联网大讲堂