每日工作记录——ML605 DDR3使用

ISE版本14.7，开发板型号ML605，芯片XC6VLX240T-1ff1156

1.开发板上的SDRAM型号为SODIMMS MT4JSF6464HY-1G1

容量：512MB

row:13 col:10 bank:3(8个) 数据位宽：64bit

容量大小的计算=2^13 * 2^10 * 8(bank) * 64(bit) = 4Gb = 512MB

2.DDR3接口的研究

ddr3_dq：数据输入输出，64位

ddr3_addr：地址输入（行列复用），13位

ddr3_ba：存储堆积地址（页），3位

ddr3_ras_n：行选通

ddr3_cas_n：列选通

ddr3_we_n：写有效

ddr3_reset_n：复位

ddr3_cke：时钟使能

ddr3_odt：终结电阻器，在DRAM颗粒工作时把终结电阻器关掉，而对于不工作的DRAM颗粒则打开终结电阻，减少信号的反射

ddr3_cs_n：片选

ddr3_dm：数据掩码，需要和DQ，DQS配合输入

ddr3_dqs_p、ddr3_dqs_n：高低位数据选通

sys_clk_p、sys_clk_n：差分时钟输入

clk_ref_p、clk_ref_n：参考时钟

鉴于ML605的UCF中没有电压约束，将电压约束copy下

NET  "ddr3_dq[*]"                               IOSTANDARD = SSTL15_T_DCI;
NET  "ddr3_addr[*]"                             IOSTANDARD = SSTL15;
NET  "ddr3_ba[*]"                               IOSTANDARD = SSTL15;
NET  "ddr3_ras_n"                               IOSTANDARD = SSTL15;
NET  "ddr3_cas_n"                               IOSTANDARD = SSTL15;
NET  "ddr3_we_n"                                IOSTANDARD = SSTL15;
NET  "ddr3_reset_n"                             IOSTANDARD = LVCMOS15;
NET  "ddr3_cke[*]"                              IOSTANDARD = SSTL15;
NET  "ddr3_odt[*]"                              IOSTANDARD = SSTL15;
NET  "ddr3_cs_n[*]"                             IOSTANDARD = SSTL15;
NET  "ddr3_dm[*]"                               IOSTANDARD = SSTL15;
NET  "sys_clk_p"                                IOSTANDARD = LVDS_25;
NET  "sys_clk_n"                                IOSTANDARD = LVDS_25;
NET  "clk_ref_p"                                IOSTANDARD = LVDS_25;
NET  "clk_ref_n"                                IOSTANDARD = LVDS_25;
NET  "sda"                                      IOSTANDARD = LVCMOS25;
NET  "scl"                                      IOSTANDARD = LVCMOS25;
NET  "sys_rst"                                  IOSTANDARD = LVCMOS25;
NET  "phy_init_done"                            IOSTANDARD = LVCMOS25;
NET  "ddr3_dqs_p[*]"                            IOSTANDARD = DIFF_SSTL15_T_DCI;
NET  "ddr3_dqs_n[*]"                            IOSTANDARD = DIFF_SSTL15_T_DCI;
NET  "ddr3_ck_p[*]"                             IOSTANDARD = DIFF_SSTL15;
NET  "ddr3_ck_n[*]"                             IOSTANDARD = DIFF_SSTL15;

3.MIG接口
mig是Xilinx公司的仿真工具ISE软件中提供的便于用户使用的ip核，主要用于DDR等存储设备的控制时序转换，提供用户接口。

我们需要关注的是其提供的用户接口而不需要具体了解其如何控制DDR3，主要的控制接口如下（DDR3.v）：

input sys_clk_p, //differential system clocks
input sys_clk_n,
input clk_ref_p, //differential iodelayctrl clk
input clk_ref_n,
inout sda,
output scl,
input app_wdf_wren,
input [(4*PAYLOAD_WIDTH)-1:0] app_wdf_data,
input [(4*PAYLOAD_WIDTH)/8-1:0] app_wdf_mask,
input app_wdf_end,
input [ADDR_WIDTH-1:0] app_addr,
input [2:0] app_cmd,
input app_en,
output app_rdy,
output app_wdf_rdy,
output [(4*PAYLOAD_WIDTH)-1:0] app_rd_data,
output app_rd_data_end,
output app_rd_data_valid,
output ui_clk_sync_rst,
output ui_clk,
output phy_init_done,
input sys_rst // System reset

6个主控输入：
app_wdf_wren：写入的数据接口app_wdf_data的使能，拉高时app_wdf_data有效

app_wdf_data：写入的数据

app_wdf_end：不用考虑，功能时序与app_wdf_wren相同

app_addr：操作地址=bank+row+column（与生成核时候选择有关）

app_cmd：0为写入，1为读出

app_en：操作地址app_addr的使能信号

其他输入：

sys_clk：输入时钟信号

clk_ref：参考时钟，一般就可以为sys_clk

app_wdf_mask：默认为0即可

关键输出：

app_rdy：输出端口，1有效，表示mig准备接受数据和命令

app_wdf_rdy：输出端口，表示mig准备接受写数据和写命令，1有效

app_rd_data：数据输出端口，只有在app_rd_data_valid输出为1时才有效

app_rd_data_end：基本无意义

app_rd_data_valid：读出数据有效

ui_clk_sync_rst：同步复位输出，为0时才能接受控制操作

ui_clk：同步时钟输出

phy_init_done：mig物理层初始化和校准标志输出，为1时，表示完成

4.MIG时序

写时序：

phy_init_done拉高时，表示mig已经初始化完成

在app_rdy和app_wdf_rdy同时为1时，mig才能接受写命令

此时将app_en，app_wdf_wren和app_wdf-end置1，在app_cmd输入“000”，在app_addr输入相应地址，app_wdf_data输入相应数据



读时序：

app_rdy为1，将app_en置1

同时app_cmd输入“001”，app_addr输入相应的读地址，只有在app_rd_data_valid为1时，读出的数据才有效



5..do仿真

在modelsim和ise库关联完成后，在...\ipcore_dir\DDR3\example_design\sim文件夹中简历modelsim工程，并修改其中相关语句为：

vlog +incdir+. +define+x2Gb +define+sg15E +define+x8 -suppress 2902 ddr3_model.v之后在modelsim中输入
do sim.do即可观察波形。