力战SDRAM（三）

我们分两条主线来介绍SDRAM的读写：地址线和数据线首先地址线上，在FPGA启动，延时500微妙。然后地址计数器cntwr每等到延时500us加1（else if(delay_done) cntwr <=cntwr+1'b1）直到加到63，然后让地址寄存器addr加1。（else if(!wr_done && cntwr ==6'h3f) addr <= addr+1'b1）也就是说，32毫秒，地址线加1，但是这个地址线并不是最终送到SDRAM上的，只是产生的暂时地址信息。----------------------------------------------------------------------------------------------------------在数据线，FPGA启动，延时500微妙。为了写数据到写FIFO（写是名词，表示这个FIFO是用来写进数据的）而设定的计数器cnt于5时拉高写有效引脚，同时此时让数据寄存器wr_dinr加1，cnt与0d时，拉低写有效引脚，同时数据寄存器停止加1，结束数据写入，共写入8个数据。如此8个8个的往复写入！（else if(!wr_done && ((cntwr >6'h05) && (cntwr <= 6'h0d)))begin wrf_dinr <= wrf_dinr+1'b1）------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------一旦数据写入FIFO达到8个，则激活系统写SDRAM请求信号sdram_wr_req，使之有效（高）（assign sdram_wr_req = ((wrf_use >=9'd8) & ~syswr_done)）。而sdram_wr_req有效，进而使读写状态机运行到`W_ACTIVE状态（elseif(sdram_wr_req & sdram_init_done) begin work_state_r <= `W_ACTIVE）。从而顺势走向`W_WRITE状态。而一旦进入这个状态，将激活sdram_wr_ack信号（assign sdram_wr_ack = (work_state ==`W_WRITE) | ((work_state == `W_WD) & (cnt_clk_r < 9'd8)& (cnt_clk_r>= 9'd0));）这个信号控制着写FIFO内的数据是否传输到q引脚,所以sdram_wr_ack有效后，写FIFO的数据就会传输到q进而传输到与其相连的sys_data_in数据寄存器。由于进入了`W_WRITE状态，就会启动写数据模块sdram_wr_data，把数据送到SDRAM芯片的数据端口（elseif((work_state == `W_WRITE) | ((work_state == `W_WD)&(cnt_clk <9'd8)& (cnt_clk >= 9'd0))) sdr_din<=sys_data_in;）（此状态完成一次后，进入等待状态IDEL，重新判断当前信息，如果满足，再次进入此状态，不满足此状态要求，进入其他状态）-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------再看地址线，在进入`W_WRITE状态时，我们是不知道此时addr已经计数到哪了，但是无论如何，到达`W_WRITE时，我们会把当前addr所形成的sys_addr的拆分成行，列数值数值传送到SDRAM的地址线上（sdram_addr_r <= {4'b0010, sys_addr[8:0] };）在传送地址的同时，数据也就跟着写进去了！就这样不停的传送地址，直到地址线加满。我们往SDRAM中写数据的时代也就过了（else if(addr == 22'h3fffff) wr_done <= 1'b1）。---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------这个时候地线写满标志syswr_done被激活（assign syswr_done = wr_done）同时由于读FIFO储存器之中数据为0，也就激活了往读FIFO储存器中写数据的信号线sdram_rd_req（assign sdram_rd_req = ((rdf_use <=9'd256) & syswr_done)）此信号一有效，状态机即进入读SDRAM数据的状态`W_READ（else if(sdram_rd_req &&sdram_init_done) beginwork_state_r <= `W_ACTIVE;//读SDRAMsys_r_wn <= 1'b1; ）在此状态下，会激活读数据请求信号sdram_rd_ack（assign sdram_rd_ack = (work_state_r ==`W_RD) & (cnt_clk_r >= 9'd0) & (cnt_clk_r < 9'd8);）这个信号有效则会使地址线由0开始自加1（else if(wr_done && neg_rdack) addr <=addr+1'b1;）//neg_rdack是sdram_rd_ack有效后产生的脉冲同时送到SDRAM地址线（此状态完成一次后，进入等待状态IDEL，重新判断当前信息，如果满足，再次进入此状态，不满足此状态要求，进入其他状态）（sdram_addr_r <= {4'b0010, //A10=1,设置写完成允许预充电sys_addr[8:0] //列地址 };）也就是说每次这个状态来临时，SDRAM地址线会更新加1。相比于写数据的时候，读数据的时候，地址是连续的，相当于遍历一遍所有地址。每次SDRAM地址线更新后，SDRAM的数据总线上的数据就会更新。把此数据传递给串口发送模块（else if((work_state == `W_RD) &(cnt_clk >=9'd0) & (cnt_clk < 9'd8)) sdr_dout <= sdram_data; ）发给电脑上位机（关于串口发送模块，自行补脑）

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