2017-2018-1 20155329 《信息安全系统设计基础》第九周学习总结

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题目分析

P431直接映射高速缓存中的冲突不命中。对于x和y数组，只有在引用第0个和第4个元素的时候发生不命中。命中率=1-2/8=3/4



课上测试时，仅选AC

当程序访问大小为2的幂的数组时，直接映射高带缓存中常发生冲突不命中

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-P427习题6.9

第一行t为24

第二行b为5

第三行S为1

第三行s的值为0

解析：此题由书本上的公式：C=SEB 可算出来结果



P422 P423

解析：B不同层之间以块为传送单元来回复制，D空缓存的不命中叫强制性不命中或冷不命中



P421

解析：存储器结构图中只能视相邻的上一级的存储器作为缓存



P418

解析：步长值就是循环体中计数器每次的增量值啊，当然，增量也可以是负数的。For...Next循环的步长step应依据你作该循环的需求确定,以下提供MSDN的说明: For...Next 语句以指定次数来重复执行一组语句。综上本题中增量为N*N。

下面代码中（）局部性最差

#define N 1000

typedef struct {
int vel[3];
int acc[3];
} point;

point p
;

A .

1 void clear1(point *p, int n)
2 {
3 int i, j;
4 5
for (i = 0; i < n; i++) {
6 for (j = 0; j < 3; j++)
7 p[i].vel[j] = 0;
8 for (j = 0; j < 3; j++)
9 p[i].acc[j] = 0;
10 }
11 }

B、

1 void clear2(point *p, int n)
2 {
3 int i, j;
4 5
for (i = 0; i < n; i++) {
6 for (j = 0; j < 3; j++) {
7 p[i].vel[j] = 0;
8 p[i].acc[j] = 0;
9 }
10 }
11 }

C .

1 void clear3(point *p, int n)
2 {
3 int i, j;
4 5
for (j = 0; j < 3; j++) {
6 for (i = 0; i < n; i++)
7 p[i].vel[j] = 0;
8 for (i = 0; i < n; i++)
9 p[i].acc[j] = 0;
10 }
11 }

D .

不确定

```

答案C P418

C中的代码是按照顺序访每个数组，步长长，局部性不好。

8.


P419

解析：循环越多，局部性越好



P418

解析：c是按照顺序访问数组，步长为N，空间局部性不好



P418

解析：C错误，步长越长空间局部性越好。



P411 413



-P411

解析：例如图形卡，监视器，鼠标，键盘和磁盘这样的I/O设备，都是通过总线，例如Intel的外围互联设备PCI总线连接到CPU和主存的。



-P409解析：P410磁盘访问时间大约为10ms



P409

解析：B错磁盘以扇区大小的块来读写数据



P408

解析：磁盘容量=（字节数/扇区）（平均扇区数/磁道）（磁道数/表面）（表面数/盘片）（盘片数/磁盘），由此公式可算得答案为C。



P406

解析：B错每个磁盘有两个盘面，D每个扇区含有相等数量的数据位



P405

18.


P404

解析：如果断电，DRAM和SRAM会丢失他们的信息，所以DRAM与SRAM为易失性存储器，电子可擦除EEPROM



P403

解析：DDRAM是对SDRAM的一种增强，他通过使用两个时钟沿作为控制信号，从而使DRAM的速度翻倍。



P400

解析：DRAM与SRAM为易失性存储器，掉电无法保存里面的内容，sRAM只要供电就会保持不变，与DRAM不同，不用刷新。



P399

解析：具有良好的局部性的程序比具有较差局部性的程序更多的倾向于从存储器层次结构中的较高层次处访问数据。