STM32内部FLASH读写-通用

转https://m.baidu.com/from=844b/bd_page_type=1/ssid=0/uid=0/pu=usm%401%2Csz%401320_2001%2Cta%40iphone_1_10.1_3_602/baiduid=63C01DC4FC66CE07AB927F4D92A28948/w=10_10_/t=iphone/l=3/tc?ref=www_iphone&lid=11025332294308886752&order=6&fm=alop&tj=www_normal_6_10_10_title&vit=osres&m=8&srd=1&cltj=cloud_title&asres=1&title=%E5%88%86%E4%BA%ABSTM32FLASH%E6%93%A6%E9%99%A4(%E4%BB%A5%E5%8F%8A%E9%98%B2%E6%AD%A2%E8%AF%AF%E6%93%A6%E9%99%A4%E7%A8%8B%E5%BA%8F%E4%BB%A3%E7%A0%81)%E5%86%99%E5%85%A5&dict=30&w_qd=IlPT2AEptyoA_yiGCEruSKXOFoASlSRX6fCRNDtQdx6HGRZKAywYpXe6&sec=23220&di=b7e7c17316bdba7f&bdenc=1&tch=124.217.53.1090.1.134&nsrc=IlPT2AEptyoA_yixCFOxXnANedT62v3IEQGG_8kJ_ju895qshbWxBdldV8KhVinFVZ38vHKDfK&eqid=9901d94e94ec780010000000599196f0&wd=&clk_info=%7B%22srcid%22%3A%221599%22%2C%22tplname%22%3A%22www_normal%22%2C%22t%22%3A1502713693469%2C%22sig%22%3A%22108539%22%2C%22xpath%22%3A%22div-div-div-a-p%22%7D&sfOpen=1

分享STM32 FLASH 擦除（以及防止误擦除程序代码）、写入

作者:黄宾山
来源:本站原创

编译环境：我用的是(Keil)MDK4.7.2   

stm32库版本：我用的是3.5.0
一、本文不对FLASH的基础知识做详细的介绍，不懂得地方请查阅有关资料。

　　对STM32 内部FLASH进行编程操作，需要遵循以下流程：

　　FLASH解锁

　　清除相关标志位

　　擦除FLASH(先擦除后写入的原因是为了工业上制作方便，即物理实现方便)

　　写入FLASH

　　锁定FLASH

实例：

#define FLASH_PAGE_SIZE    ((uint16_t)0x400) //如果一页为1K大小

#define WRITE_START_ADDR   ((uint32_t)0x08008000)//写入的起始地址

#define WRITE_END_ADDR      ((uint32_t)0x0800C000)//结束地址

uint32_t EraseCounter = 0x00, Address = 0x00;//擦除计数，写入地址

uint32_t Data = 0x3210ABCD;//要写入的数据

uint32_t NbrOfPage = 0x00;//记录要擦除的页数

volatile FLASH_Status FLASHStatus = FLASH_COMPLETE;/*FLASH擦除完成标志*/

void main()

{

  /*解锁FLASH*/

　FLASH_Unlock();

  /*计算需要擦除FLASH页的个数 */

　NbrOfPage = (WRITE_END_ADDR - WRITE_START_ADDR) / FLASH_PAGE_SIZE;

  /* 清除所有挂起标志位 */

　 FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);       

  /* 擦除FLASH 页*/

　for(EraseCounter = 0; (EraseCounter < NbrOfPage) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE); EraseCounter++)

　　  {

　　    FLASHStatus = FLASH_ErasePage(WRITE_START_ADDR + (FLASH_PAGE_SIZE * EraseCounter));

　　  }

  /* 写入FLASH  */

　Address = WRITE_START_ADDR;

　while((Address < WRITE_END_ADDR) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE))

　　  {

　　    FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(Address, Data);

　　    Address = Address + 4;

　　  }

/* 锁定FLASH  */

　FLASH_Lock();

}
二、FLASH 擦除（以及防止误擦除程序代码）

1、擦除函数

FLASH_Status FLASH_ErasePage(u32 Page_Address)只要（）里面的数是flash第xx页中对应的任何一个地址！就是擦除xx页全部内容！[/u]




防止误擦除有用程序代码的方法

方法一：首先要计算程序代码有多少，把FLASH存取地址设置在程序代码以外的地方，这样就不会破坏用户程序。原则上从0x0800 0000 + 0x1000 以后的FLASH空间都可以作为存储使用。如果代码量占了 0x3000， 那么存储在 0x0800 0000+ 0x4000 以后的空间就不会破坏程序了。

方法二：先在程序中定义一个const 类型的常量数组，并指定其存储位置（方便找到写入、读取位置），这样编译器就会分配你指定的空间将常量数组存入FLASH中。当你做擦除。读写操作时，只要在这个常量数组所在的地址范围就好。

　　const uint8_t table[10]
__at(0x08010000) = {0x55} ;

　　MDK3.03A开始就支持关键字 __at() 。

　　需要加#include

方法三：在程序中定义一个const 类型的常量数组，无需指定其存储位置。只要定义一个32位的变量存储这个数组的FLASH区地址就行。

　　uint32_t address;//STM32的地址是32位的

　　const uint8_t imageBuffer[1024] = {0,1,2,3,4,5,6,7};

　　address = (uint32_t) imageBuffer;/*用强制类型转换的方式，可以把FLASH中存储的imageBuffer[1024]的地址读到RAM中的变量address 里，方便找到写入、读取位置*/

方法四：利用写保护的方式（没研究明白）

三、FLASH写入

　　FLASH的写入地址必须是偶数（FLASH机制决定的FLASH写入的时候只能是偶数地址写入，必须写入半字或字，也就是2个字节或是4字节的内容）






四、FLASH 读取方法

　　*(uint32_t *)0x8000000;//读一个字

　　*(uint8_t *)0x8000000;//读一个字节;

　　*(uint16_t *)0x8000000;//读半字;  

　　举例：

　　uint8_t data;

　　data = *(uint8_t *)0x8000000;//就是读取FLASH中地址0x8000000处的数据
五、几个有用的子函数

/*

功能：向指定地址写入数据

参数说明：addr 写入的FLASH页的地址

          p    被写入变量的地址（数组中的必须是uint8_t类型，元素个数必须是偶数）

          Byte_Num 被写入变量的字节数（必须是偶数）

*/

　　void FLASH_WriteByte(uint32_t addr , uint8_t *p , uint16_t Byte_Num)

　　{

　　        uint32_t HalfWord;

　　        Byte_Num = Byte_Num/2;

　　        FLASH_Unlock();

　　        FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);

　　        FLASH_ErasePage(addr);

　　        while(Byte_Num --)

　　        {

　　                HalfWord=*(p++);

　　                HalfWord|=*(p++)<<8;

　　                FLASH_ProgramHalfWord(addr, HalfWord);

　　                addr += 2;

　　        }

　　        FLASH_Lock();

　　}

　　例：

　　uint8_t data[100];

　　FLASH_WriteByte(0x8000000 , data , 100);/*数组data的数据被写入FLASH中*/

/*

功能：从指定地址读取数据

参数说明：addr 从FLASH中读取的地址

          p    读取后要存入变量的地址（数组中的必须是uint8_t类型）

          Byte_Num 要读出的字节数

*/

　　void FLASH_ReadByte(uint32_t addr , uint8_t *p , uint16_t Byte_Num)

　　{

　　  while(Byte_Num--)

　　  {

　　   *(p++)=*((uint8_t*)addr++);

　　  }

　　}

　　例：

　　uint8_t data[101];

　　FLASH_ReadByte(0x8000001 , data , 101);/*FLASH中的数据被读入数组data中*/