ROM RAM Flash等不同存储器的区别

Ø  ROM和RAM区别

ROM（Read Only Memory，只读存储器）在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，RAM（Random
Access Memory，随机存取存储器）通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。

Ø  ROM、PROM、EPROM、EEPROM区别

ROM（Read Only Memory，只读存储器）：生产过程中烧录程序，用户无法更改。

在微机的发展初期，BIOS都存放在ROM中。ROM内部的资料是在ROM的制造工序中，在工厂里用特殊的方法被烧录进去的，其中的内容只能读不能改，一旦烧录进去，用户只能验证写入的资料是否正确，不能再作任何修改。如果发现资料有任何错误，则只有舍弃不用，重新订做一份。ROM是在生产线上生产的，由于成本高，一般只用在大批量应用的场合。

PROM（Programmable ROM，可编程ROM）：用户可以烧录程序，但只能烧录一次。

由于ROM制造和升级的不便，后来人们发明了PROM。最初从工厂中制作完成的PROM内部并没有资料，用户可以用专用的编程器将自己的资料写入，但是这种机会只有一次，一旦写入后也无法修改，若是出了错误，已写入的芯片只能报废。PROM的特性和ROM相同，但是其成本比ROM高，而且写入资料的速度比ROM的量产速度要慢，一般只适用于少量需求的场合或是ROM量产前的验证。

EPROM（Erasable Programmable
ROM，可擦除可编程ROM）：可重复擦除和写入，但操作不方便。

EPROM芯片有一个很明显的特征，在其正面的陶瓷封装上，开有一个玻璃窗口，透过该窗口，可以看到其内部的集成电路，紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据，完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM内资料的写入要用专用的编程器，并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压（VPP=12~24V，随不同的芯片型号而定）。EPROM的型号是以27开头的，如27C020(8*256K)是一片2M
Bits容量的EPROM芯片。EPROM芯片在写入资料后，还要以不透光的贴纸或胶布把窗口封住，以免受到周围的紫外线照射而使资料受损。

EEPROM（Electrically Erasable
Programmable ROM，电可擦除可编程ROM）：可多次方便地擦出和写入。

EEPROM的擦除不需要借助于其它设备，它是以电子信号来修改其内容的，而且是以Byte为最小修改单位，不必将资料全部洗掉才能写入，彻底摆脱了EPROM
Eraser和编程器的束缚。EEPROM在写入数据时，仍要利用一定的编程电压，此时，只需用厂商提供的专用刷新程序就可以轻而易举地改写内容，所以，它属于双电压芯片。借助于EEPROM芯片的双电压特性，可以使BIOS具有良好的防毒功能，在升级时，把跳线开关打至“
e36e
on”的位置，即给芯片加上相应的编程电压，就可以方便地升级；平时使用时，则把跳线开关打至“off”的位置，防止CIH类的病毒对BIOS芯片的非法修改。所以，至今仍有不少主板采用EEPROM作为BIOS芯片并作为自己主板的一大特色。

Ø  RAM、SRAM、DRAM区别

RAM（Random Access Memory，随机存取存储器）：又称作“随机存储器”，是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存(内存)。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。分为SRAM（Static
RAM，静态RAM）和DRAM（Dynamic
RAM，动态RAM）两种。

SRAM（Static RAM，静态RAM）： Static是指只要不掉电，存储在SRAM中的数据就不会丢失。

SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。

DRAM（Dynamic RAM，动态RAM）：Dynamic是指RAM需要进行周期性的刷新操作。

DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。

Ø  单片机程序存储器、数据存储器和EEPROM的区别

以LPC1788为例，它具有512kB
Flash存储器，96kB数据存储器，4kB
EEPROM。

它的Flash存储器主要用于存放烧录的程序，掉电不丢失，是EEPROM的一种；数据存储器用于存放程序运行的中间数据，掉电丢失，属于RAM；EEPROM掉电不丢失，主要用于存储较少量的开机时用到的参数。

程序存储器用于存放系统工作的应用程序及一些不需改变的数据常数，程序写入程序存储器后，单片机系统只能读取程序指令使系统运行，而不能再进行改写，且系统掉电后，程序不会丢失。因此，程序存储器是ROM（Read
Only Memory），即只读存储器。这里的Flash存储器就是它的程序存储器。

Flash的全称是Flash EEPROM，也是但跟常规EEPROM的操作方法不同。Flash和EEPROM的最大区别是Flash按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，Flash的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用Flash做数据存储器也行，但操作比EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成Flash和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有Flash，早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构，现在已基本上停产了。

一般来说EEPROM中存放开机时用到的参数，不可丢失的变量等，而Flash中会存放程序，记录文件等。

数据存储器是用于存放程序运行的中间处理数据的，可随程序运行而随时写入或读出数据存储器的内容，当系统掉电时，数据全部会丢失。因此，数据存储器是RAM，即可随机读写的存储器。