DRAM的动态刷新问题总结
2016-09-25 15:02
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直接看一个问题:
一个1K x 4位的DRAM芯片,若其内部结构排列成64 x 64形式,且存取周期为0.1us。
1)若采用分散刷新和集中刷新相结合的方式,即用异步刷新的方法,刷新的信号周期应取多少?
2)若采用集中刷新,则对该存储芯片刷新一遍需要多少时间?死时间率是多少?
这种问题问的都是很直接的,前提要理解这些刷新的工作原理。
对于1)异步刷新,我们只需要计算一个时间间隔即可,这个时间间隔就是:在2ms内,每一行都要刷新到。即为:2ms/64=31.25us。
对于2)集中刷新,一行一行刷新,每一次死时间都是64行刷新所用的时间,这里刷新一行用时是0.1us,所以一次集中刷新用时0.1∗64=6.4us.同样,多久进行一次集中刷新?仍然是在信息还没掉之前,也即:2ms内。
那么,死时间率=6.4us/2ms=0.32%.
以上。
一个1K x 4位的DRAM芯片,若其内部结构排列成64 x 64形式,且存取周期为0.1us。
1)若采用分散刷新和集中刷新相结合的方式,即用异步刷新的方法,刷新的信号周期应取多少?
2)若采用集中刷新,则对该存储芯片刷新一遍需要多少时间?死时间率是多少?
这种问题问的都是很直接的,前提要理解这些刷新的工作原理。
对于1)异步刷新,我们只需要计算一个时间间隔即可,这个时间间隔就是:在2ms内,每一行都要刷新到。即为:2ms/64=31.25us。
对于2)集中刷新,一行一行刷新,每一次死时间都是64行刷新所用的时间,这里刷新一行用时是0.1us,所以一次集中刷新用时0.1∗64=6.4us.同样,多久进行一次集中刷新?仍然是在信息还没掉之前,也即:2ms内。
那么,死时间率=6.4us/2ms=0.32%.
以上。
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