嵌入式启动过程笔记

内存。

sram：静态内存，价格贵容量大，不需要初始化上电就能用。

dram：动态内存，价格便宜容量小，需要初始化后才能使用。

在单片机额中，由于内存小希望开发尽量简单，所以内存适合全部用sram，在pc机中，所需内存大，软件复杂，不在乎dram初始化的开销，所以应该全部选用dram，在嵌入式系统中，内存需求量大而且没有norflash等启动介质。（一般内部有iram就是sram用来启动，运行用dram，我推测的）。
外存
norflash：容量小，价格贵，可以和cpu总线直接相连，直接读取，所以一般作为启动介质。

nandflash：容量大，价格便宜，不能总线式访问，不可以直接读取，需要初始化，然后通过时序接口读写。

pc机一般用很小的BIOS（norflash）+大容量硬盘（类似于nandflash）+大容量dram
嵌入式系统一般用 外接大容量nandflash +大容量Dram+soc内置sram（由于norflash比较昂贵，一般不用）
单片机：很小的sram+很小的norflash。

S5PV210使用的启动方式是：外接的大容量Nand + 外接大容量DRAM + SoC内置SRAM
实际上210的启动还要更好玩一些，210内置了一块96KB大小的SRAM（叫iRAM），同时还有一块内置的64KB大小的NorFlash（叫iROM）。210的启动过程大致是：
第一步：CPU上电后先从内部IROM中读取预先设置的代码（BL0），执行。这一段IROM代码首先做了一些基本的初始化（CPU时钟、关看门狗···）（这一段IROM代码是三星出厂前设置的，三星也不知道我们板子上将来接的是什么样的DRAM，因此这一段IROM是不能负责初始化外接的DRAM的，因此这一段代码只能初始化SoC内部的东西）；然后这一段代码会判断我们选择的启动模式（我们通过硬件跳线可以更改板子的启动模式），然后从相应的外部存储器去读取第一部分启动代码（BL1，大小为16KB）到内部SRAM。
第二步：从IRAM去运行刚上一步读取来的BL1（16KB），然后执行。BL1负责初始化NandFlash，然后将BL2读取到IRAM（剩余的80KB）然后运行
第三步：从IRAM运行BL2，BL2初始化DRAM，然后将OS读取到DRAM中，然后启动OS，启动过程结束。

我的困惑：
我用的时s3c2451的开发板是在nandflash启动，上面说nandflash不能直接读取数据，那怎么启动？

解决：norflash启动和nandflash启动的区别
norflash：norflash有自己的地址总线和数据总线，cpu可以直接读取 ，所以norflash可以直接运行程序，也可以直接做uboot，地址被映射到0x0000 0000处。

nandflash：Nand flash是IO设备，数据、地址、控制线都是共用的，需要软件区控制读取时序，所以不能像nor flash、内存一样随机访问，不能EIP（片上运行），因此不能直接作为boot。
NANDFlash控制器自动把nandflash存储器的前4K载到Steppingstone（内部SRAM缓冲器），并把0x00000000S设置为内部SRAM的起始地址，cpu从内部SRAM的0x00000000开始启动，这个过程不需要程序干涉。（cpu会自动从NAND flash中读取前4KB的数据放置在片内SRAM里（s3c2440是soc），同时把这段片内SRAM映射到nGCS0片选的空间（即0x00000000）。cpu是从0x00000000开始执行，也就是NAND flash里的前4KB内容。因为NAND FLASH连地址线都没有，不能直接把NAND映射到0x00000000，只好使用片内SRAM做一个载体。通过这个载体把nandflash中大代码复制到RAM(一般是SDRAM)中去执行）。 程序员要完成的工作是把最核心的代码放在nandflash的前4K中。4K代码要完成S3C2451的核心配置以及启动代码（U-boot）的剩余部分拷贝到SDRAM中。。NORflash速度快，数据不易失，可作为存储并执行起到代码和应用程序的存储器，norflash可像内存一样读操作，但擦初和写操作效率很低，价格很昂贵。SDRAM和nandflash的价格比较适中。根据这些特点，一些人产生了这样一种想法：外部nandflash中执行启动代码，SDRAM中执行主程序。NANDFlash控制器自动把nandflash存储器的前4K载到Steppingstone（内部SRAM缓冲器），并把0x00000000S设置为内部SRAM的起始地址，cpu从内部SRAM的0x00000000开始启动，这个过程不需要程序干涉。这4K的启动代码需要将NANDFlash中的内容复制到SDRAM（dram中的一种）中执行。NANDFlash的前4K空间放启动代码，SDRAM速度较快，用来执行主程序的代码。ARM一般从ROM或Flash启动完成初始化，然后将应用程序拷贝到RAM，然后跳到RAM执行。