第二章 内存原理基础篇+FSM有限状态机

先给出上面一章最后一节的答案

1.除了AND不能独成一体之外，剩下两个都能是通用逻辑门。NAND怎么变为NOT？把输入连一起就是NOT。。这个命题可以用前几节给出的定理进行证明~
2.那带两个输入NAND门来说，如果你画时序图的话就会发现，输入1到0变化时，nMOS导通，pMOS关闭时，nMOS发生延2倍延迟（2个nMOS串联嘛~）而pMos只要1被延迟。1倍延迟的时候pMOs和nMOS都开始工作，但是输出不稳定，等到2倍延迟结束后才能稳定输出，也就是达到了传播延迟的时间。
3.



4.


5.首先是需求：



给出逻辑图：




给出优化和分析：



好了，上一章精通了~~那么我们继续这一章的话题。这一章中的重中之重就是时序回路，因为有限状态机，寄存器都离不开时序分析。这一章里时序分析会变得复杂繁琐。没关系，别忘了你的纸和笔哦~~。还有，这里说的内存原理是寄存器，属于基础。估计下一章会直奔真正的内存设计与实现吧。好了，我们在2.1节进入主题~~。