[Other]计算机组成原理分解实验：实验二 RAM实验

实验二    RAM实验

一、实验目的：

了解半导体静态随机读写存储器RAM的工作原理及其使用方法。

掌握半导体存储器的字、位扩展技术。

二、实验所用器件和仪表：

RAM采用两片MM2114

隔离部件采用74LS125

译码器采用74LS138

三、实验内容：

采用1K x 4 的芯片，构成1K x 8的存储器。

◆ 选择五个不连续的存贮单元地址，分别存入不同内容，作单个存贮器单元的

  读/写操作实验。

◆采用1K x 4 的芯片，构成2K x 4的存储器。

◆必须使用译码器进行扩展（三输入都用，接开关）。

◆ 选择五个不连续的存贮单元地址，分别存入不同内容，作单个存贮器单元的

  读/写操作实验。 

◆ 选用适当芯片，根据各种控制信号的极性和时序要求，设计出实验线路图。

◆ 分别设计试验步骤。

◆ 使用开关进行数据加载，通过指示灯显示实验结果，记录试验现象，写出实验报告。给出字扩展试验中每片RAM芯片的地址范围。

四、实验提示：

为简化试验，地址可只用低4位（其余地址可接地）。

五、实验接线图及实验结果：

基本的试验方案：



第一部分：采用1K x 4 的芯片，构成1K x 8的存储器。

设计线路：



字扩展的实验操作：

1.初始化：

将k15（74LS125的C信号）推至高电平，断开开关输入。

将k13（RAM片选信号）推至低电平，选中RAM。

将k14(读写控制)推至高电平读取状态，以防选地址过程中对沿路数据进行修改。

2.写入数据：

将k0~k3的四个开关调至想要输入的地址。

将k4~k11调整至想要的二进制输入值。

将k15（74LS125的C信号）推至低电平，连接开关输入。

将k14（读写控制）推至低电平写入状态，写入数据。

3.读取数据：

将k14（读写控制）推至高电平读取状态，断开对RAM的写入。

将k15（74LS125的C信号）推至高电平，断开开关对扽灯泡的影响，读取数据。

第二部分：采用1K x 4 的芯片，构成2K x 4的存储器。

设计线路：



位扩展的实验操作：

1.初始化：

将k15（74LS125的C信号）推至高电平，断开开关输入。

将k13（第一块RAM片选信号）推至低电平，选中RAM，

同时确保将k12（第二块RAM片选信号）推至高电平，使RAM失效。

将k14(读写控制)推至高电平读取状态，以防选地址过程中对沿路数据进行修改。

2.写入数据：

将k0~k3的四个开关调至想要输入的地址。

将k4~k7调整至想要的二进制输入值。

将k15（74LS125的C信号）推至低电平，连接开关输入。

将k14（读写控制）推至低电平写入状态，写入数据。

3.读取数据：

将k14（读写控制）推至高电平读取状态，断开对RAM的写入。

将k15（74LS125的C信号）推至高电平，断开开关对灯泡的影响，读取数据。