模拟电子技术8 12------——晶体管 放大状态原理

PN结 正向偏置
PN
结变摘 有利于多数载流子 扩散运动

不利于少数载流子 飘移运动

PN结 反向偏置
PN
结变宽 不利于多数载流子 扩散运动

有利于少数载流子 漂移运动



发射区 ：参杂浓度很高 多数载流子 是电子

基区 ： 多数载流子 是 空穴

集电区： 多数载流子是 电子 少数载流子是 空穴




发射结 正向偏置：（有利于多数载流子的扩散运动）

发射区 电子（多数载流子） 向基区P
扩散

基区 空穴向 发射区扩散 多数 载流子相互扩散

-》》》形成 电子电流 空穴电流



集电结：反向偏置 有利于 少数载流子的漂移运动

基区： 多数载流子（空穴） 扩散不到 集电区

集电区： 多数载流子（电子） 扩散不到 基区，允许少数载流子漂移运动

-》》》》基区
P
区 少数载流子（电子） 跑到 集电区

集电区 少数载流子（空穴） 飞快 跑到 基区