HSE配置

概述

HSE为外部高速时钟，可以由有源晶振与无源晶振提供，频率4-16MHZ，当使用有源晶振时，时钟从OSC_IN引脚进入，OSC_OUT引脚悬空，当使用无源晶振时，时钟从OSC_IN和OSC_OUT引脚进入，并且要配谐振电容。

软件

1.初始化RCC外设
2.使能RCC
3.等待RCC就绪
4.等待RCC就绪完成
5.使能FLash预取值缓冲区
6.设置systick与闪存访问时间比例（设置频率）
7.设置AHB预分频因子
8.设置APB2预分频因子
9.设置时钟来源为HSE，设置倍频因子
10开启PLL
11.等待PLL稳定
12.等PLL稳定之后，把PLL时钟切换为systick时钟
13.读取时钟状态位，确保时钟为systick时钟

void HSE_SetSysClock(uint32_t pllmul)
{
__IO uint32_t StartUpCounter = 0, HSEStartUpStatus = 0;

// 把RCC外设初始化成复位状态，这句是必须的
RCC_DeInit();

//使能HSE，开启外部晶振，野火开发板用的是8M
RCC_HSEConfig(RCC_HSE_ON);

// 等待 HSE 启动稳定
HSEStartUpStatus = RCC_WaitForHSEStartUp();

// 只有 HSE 稳定之后则继续往下执行
if (HSEStartUpStatus == SUCCESS)
{
//----------------------------------------------------------------------//
// 使能FLASH 预存取缓冲区
FLASH_PrefetchBufferCmd(FLASH_PrefetchBuffer_Enable);

// SYSCLK周期与闪存访问时间的比例设置，这里统一设置成2
// 设置成2的时候，SYSCLK低于48M也可以工作，如果设置成0或者1的时候，
// 如果配置的SYSCLK超出了范围的话，则会进入硬件错误，程序就死了
// 0：0 < SYSCLK <= 24M
// 1：24< SYSCLK <= 48M
// 2：48< SYSCLK <= 72M
FLASH_SetLatency(FLASH_Latency_2);
//----------------------------------------------------------------------//

// AHB预分频因子设置为1分频，HCLK = SYSCLK
RCC_HCLKConfig(RCC_SYSCLK_Div1);

// APB2预分频因子设置为1分频，PCLK2 = HCLK
RCC_PCLK2Config(RCC_HCLK_Div1);

// APB1预分频因子设置为1分频，PCLK1 = HCLK/2
RCC_PCLK1Config(RCC_HCLK_Div2);

//-----------------设置各种频率主要就是在这里设置-------------------//
// 设置PLL时钟来源为HSE，设置PLL倍频因子
// PLLCLK = 8MHz * pllmul
RCC_PLLConfig(RCC_PLLSource_HSE_Div1, pllmul);
//------------------------------------------------------------------//

// 开启PLL
RCC_PLLCmd(ENABLE);

// 等待 PLL稳定
while (RCC_GetFlagStatus(RCC_FLAG_PLLRDY) == RESET)
{
}

// 当PLL稳定之后，把PLL时钟切换为系统时钟SYSCLK
RCC_SYSCLKConfig(RCC_SYSCLKSource_PLLCLK);

// 读取时钟切换状态位，确保PLLCLK被选为系统时钟
while (RCC_GetSYSCLKSource() != 0x08)
{
}
}
else
{ // 如果HSE开启失败，那么程序就会来到这里，用户可在这里添加出错的代码处理
// 当HSE开启失败或者故障的时候，单片机会自动把HSI设置为系统时钟，
// HSI是内部的高速时钟，8MHZ
while (1)
{
}
}
}