长江存储推出全新3D NAND架构,半导体市场再起波澜
2018-08-14 14:06
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长江存储自成为NAND闪存职业的新晋者以来,也自称为我国存储器产业开展的要点厂商之一以来,长江存储的研发进程一向备受厂商重视。而近日,长江存储终于不负众望,迎来了该领域的重大突破。8月6日,长江存储发布一项突破性技能——Xtacking™。
该技能能够为3D NAND闪存带来史无前例的I/O高性能,更高的存储密度,以及更短的产品上市周期。
详细而言,选用长江存储Xtacking™技能,NAND的输入输出速度有望与DRAM DDR4的I/O速度一较高下;此外,与传统的3D NAND架构比较,该技能还能够经过将外围电路置于存储单元之上,然后完成更高的存储密度;与此一起,Xtacking™技能还充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势,大幅缩短3D NAND产品的上市时刻。
长江存储表明,现在已成功将Xtacking™技能使用于其第二代3D NAND产品的开发,该产品估计于2019年进入量产阶段。
而就在该技能发布的前两天(即8月4日),紫光集团联席总裁刁石京泄漏,我国首批具有自主知识产权的32层3D NAND闪存芯片将于本年第四季度完成量产。而64层3D NAND闪存芯片也计划于2019年量产。
由此看来,此次长江存储发布的Xtacking™或许将在2019年的64层3D NAND闪存芯片中得到使用。这一使用,标志着我国的闪存技术又迈向了新的高峰。
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