用于汽车信息娱乐的Cypress F-RAM
2018-03-14 10:58
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对新功能的需求推动了汽车信息的快速增长。有900万辆汽车信息娱乐系统是在201年生产的;预计到2019年,年产量将迅速增长到6000万。汽车信息娱乐系统(如图1所示)提供了新的功能,如实时本地交通和零售信息、基于雷达的停车辅助和安全系统、独立的后客音频/视频、无线互联网和自适应语音控制。这些新特性需要额外的高性能、高可靠性的非易失性存储器。EEPROM不能满足这些要求而不增加设计成本。汽车信息娱乐系统需要高性能、高可靠性、低成本的非易失性存储器。
汽车信息娱乐系统的形象。
![](https://oscdn.geek-share.com/Uploads/Images/Content/201910/07/fa3c52367ae7118ec227585e060c8774)
图1:汽车信息娱乐系统。
工程师面临的常见设计问题包括:
汽车信息娱乐系统必须存储电力损失的设置、状态和导航数据。
EEPROMs的浸泡时间要求每页写5毫秒的有功功率。
浸泡时间需要额外的电容器或电池来执行一页的电力损耗,增加系统成本。
汽车信息娱乐系统超过了100万周期的EEPROMs的写耐力限制。
提高EEPROM的耐磨性,以支持20年的汽车寿命要求。
磨损水平要求高达8x的内存容量和额外的软件,从而增加系统成本。
汽车制造商需要aec - q100合格的非易失性存储器。
柏树的F-RAM解决了这些问题。F-RAM不需要浸泡时间,不需要额外的电容或电池来完成一页的电力损耗。它还提供了100万亿的写周期,消除了对磨损水平的需要。Cypress现在提供aec - q100的容量记忆。因此,Cypress F-RAM在快速增长的市场中是一种高性能、高可靠性、低成本的EEPROMs替代品。
如上所述,传统的EEPROM设计需要多达8x的EEPROM容量,可提高耐久性的可穿戴式软件,以及为浸泡时间而为每一页的5毫秒编写系统的电容器。如图2所示,这种复杂的EEPROM基础设计可以通过选择F-RAM作为非易失性内存解决方案来简化,从而产生高性能、低成本的汽车信息娱乐系统。为了开始,设计者应该从在Cypress网站,Cypress.com上的F-RAM产品选择表中选择一个F-RAM串行存储器。他们可以点击订单来索取免费样品。用户还可以在cypress.com上观看演示视频和注册,以获得在线技术支持。
复杂的EEPROM解决方案与F-RAM解决方案的图像。
![](https://oscdn.geek-share.com/Uploads/Images/Content/201910/07/30b9fe0710c9b435407d27e9ce3c603b)
图2:复杂的EEPROM解决方案与F-RAM解决方案(图片来源:凯利讯半导体)。
用F-RAM设计汽车信息娱乐系统的例子如图3所示。在这个例子中,F-RAM用于存储音频、无线电、蓝牙和气候控制设置以及GPS坐标和GPS校准数据。F-RAM通过消除磨损升级固件和浸泡时间电容器来简化设计。它还用一个EEPROM解决方案替换多个EEPROMs。系列F-RAM可在多种选项中使用,包括从4 kB到2mb的密度,以及2 - 5.5 V的电压。它有两个不同的接口选项,SPI和I2C,以及三种不同的包类型;SOIC8、DFN8 EIAJ8。它也符合AEC-Q100等级1和3。可以看出,Cypress F-RAM提供了一个简单、可靠、快速和高持久性的非易失性内存解决方案。
以F-RAM为例的信息娱乐系统图像。
![](https://oscdn.geek-share.com/Uploads/Images/Content/201910/07/418fd9ec3cb25989b884c95882050355)
图3:以F-RAM为例的信息娱乐系统。
总之,F-RAM无需浸泡时间,无需额外的电容器或电池来完成一页的电力损耗。它提供了100万亿的写周期,消除了对磨损水平的需要,并且在aec - q100的容量存储器中是可用的。Cypress F-RAM是一个高性能、高可靠性、低成本的EEPROMs替代品,在一个快速增长的市场中。开始时,设计师可以查看详细的应用程序说明,并在Cypress.com上注册,以获得在线技术支持。
汽车信息娱乐系统的形象。
图1:汽车信息娱乐系统。
工程师面临的常见设计问题包括:
汽车信息娱乐系统必须存储电力损失的设置、状态和导航数据。
EEPROMs的浸泡时间要求每页写5毫秒的有功功率。
浸泡时间需要额外的电容器或电池来执行一页的电力损耗,增加系统成本。
汽车信息娱乐系统超过了100万周期的EEPROMs的写耐力限制。
提高EEPROM的耐磨性,以支持20年的汽车寿命要求。
磨损水平要求高达8x的内存容量和额外的软件,从而增加系统成本。
汽车制造商需要aec - q100合格的非易失性存储器。
柏树的F-RAM解决了这些问题。F-RAM不需要浸泡时间,不需要额外的电容或电池来完成一页的电力损耗。它还提供了100万亿的写周期,消除了对磨损水平的需要。Cypress现在提供aec - q100的容量记忆。因此,Cypress F-RAM在快速增长的市场中是一种高性能、高可靠性、低成本的EEPROMs替代品。
如上所述,传统的EEPROM设计需要多达8x的EEPROM容量,可提高耐久性的可穿戴式软件,以及为浸泡时间而为每一页的5毫秒编写系统的电容器。如图2所示,这种复杂的EEPROM基础设计可以通过选择F-RAM作为非易失性内存解决方案来简化,从而产生高性能、低成本的汽车信息娱乐系统。为了开始,设计者应该从在Cypress网站,Cypress.com上的F-RAM产品选择表中选择一个F-RAM串行存储器。他们可以点击订单来索取免费样品。用户还可以在cypress.com上观看演示视频和注册,以获得在线技术支持。
复杂的EEPROM解决方案与F-RAM解决方案的图像。
图2:复杂的EEPROM解决方案与F-RAM解决方案(图片来源:凯利讯半导体)。
用F-RAM设计汽车信息娱乐系统的例子如图3所示。在这个例子中,F-RAM用于存储音频、无线电、蓝牙和气候控制设置以及GPS坐标和GPS校准数据。F-RAM通过消除磨损升级固件和浸泡时间电容器来简化设计。它还用一个EEPROM解决方案替换多个EEPROMs。系列F-RAM可在多种选项中使用,包括从4 kB到2mb的密度,以及2 - 5.5 V的电压。它有两个不同的接口选项,SPI和I2C,以及三种不同的包类型;SOIC8、DFN8 EIAJ8。它也符合AEC-Q100等级1和3。可以看出,Cypress F-RAM提供了一个简单、可靠、快速和高持久性的非易失性内存解决方案。
以F-RAM为例的信息娱乐系统图像。
图3:以F-RAM为例的信息娱乐系统。
总之,F-RAM无需浸泡时间,无需额外的电容器或电池来完成一页的电力损耗。它提供了100万亿的写周期,消除了对磨损水平的需要,并且在aec - q100的容量存储器中是可用的。Cypress F-RAM是一个高性能、高可靠性、低成本的EEPROMs替代品,在一个快速增长的市场中。开始时,设计师可以查看详细的应用程序说明,并在Cypress.com上注册,以获得在线技术支持。
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