资讯精选 | 物联网时代半导体制造设备小型化大势所趋

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物联网利用科技将实体物品连接到网络。电子组件的大小(和费用)需要支持其功能性，例如感应、追踪和控制机制，在广泛采用物联网的各种行业应用中扮演了重要的角色。在半导体行业的进展一直很激烈，业界一直保持每两年加倍摩尔定律的晶体管密度。

　　在2000 年时，技术发展状态是 1000 纳米(nm)，但 2010 至 2011 年，该工业转移到商用系统级芯片(SoC)芯片解决方案，利用 28 至 45 纳米光刻技术实现了 2-3 芯片组件，可以整合能处理数字讯号的无线电收发器、基频微芯片或图形加速器。这里有许多应用，例如远程医疗和环境监测需要这些合成芯片组，不仅是因为体积小，并且可隐藏和充当”小型”计算机来感应实体物品。
幸运的是，多年来设备小型化已快速实现，且每个芯片的晶体管数量也呈倍数增加。

　　现今，晶元芯片制造技术是由平面金属氧化物半导体场效应晶体(MOSFET)技术主要在推动。 在芯片设计和结构等领域的进展，已经允许半导体工业降低生产晶体管的尺寸、密度和成本。像光刻、度量衡学和纳米技术被使用(和探索)来大幅提高单芯片上晶体管的数量。 

例如，半导体制造过程也从 2010 年的 32纳米节点提升到 2011 年的 22 纳米节点，2013 的 16 纳米到 2015 年迈向 11 纳米(见图 2.3)。 Intel9 在 2012 年 4 月正式推出，是全球第一款商用微处理器-以 22 纳米与
3D三栅极晶体管制程制造的版本。这种 22 纳米芯片比之前的晶体管还能够适应超过 29 亿个晶体管，能提升 37%性能、降低超过 50%的功耗。

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