【计算机的物理实现】二极管的特性、主要参数、命名规则

首先说下什么是二极管。其实二极管就是一个PN结。

将PN结用一个外壳封装起来并且在两端加上引线就成了二极管了。其中P区引出的电极为阳极，N区引出的电极为阴极。

二极管实物图：



因为二极管就是PN结，所以二极管同样具有前面所说的热敏、光敏、单向导电性、伏安特性和电容效应。

二极管的伏安特性：



这里补充一个概念叫导通压降，也就是上图中黄线对应的电压值。大家可以发现，当正向偏置时电压大到一定程度时电流曲线几乎与Y坐标轴平行。也就是说电压值其实不怎么变化了。这个不怎么变的电压值称为导通压降。如果是硅二极管这个值是0.6~0.8V之间。如果是锗二极管是0.2~0.3V之间。(死区电压硅是0.5V左右、锗是0.1V左右)。

另外前面说到热敏、光敏其实就是改变半导体材料电子的活跃程度，而对应过来反应的就是二极管的电流大小，影响比较大的是反向偏置时的电流大小和正向偏置时的导通压降。

例如当温度升高或者光照增强时二极管的反向电流会增大，导通压降会减小。

当然二极管制作工艺上PN结可大可小，PN结小得二极管电容就小用于高频率和小功率的电路中。PN结大的电容大就用于低频率和大功率中。

那么二极管的主要参数有哪些呢？

主要有以下几个：(对照着上面的伏安特性图理解)

1.最大整流电流：这里指正向偏置时二极管允许通过的最大电流。

2.反向击穿电压：我们知道PN结反向偏置时电压过大会击穿，这个指的就是反向击穿电压。

3.最高反向工作电压：反向电压太大时会击穿，这个指安全工作的电压，通常为反向电压的一半。

4.反向电流：反向偏置时，在击穿前反向电流很小而且是固定的，这个指的就是那个电流值。

5.最高工作频率：二极管的最高工作频率，高于这个频率单向导电性会失效。

最后说下关于半导体材料的命名方式：

举个例子：



第一个数字指半导体极数：2代表二极管、3代表三极管。

第二个字母代表材料：如果是二极管：A代表N型锗、B代表P型锗、C代表N型硅、D代表P型硅

　　　　　　　　　　如果是三极管：A代表PNP型锗、B代表NPN型锗、C代表PNP型硅、D代表NPN型硅

第三个字母代表二极管类型：P是普通管、W是稳压管等等等

第四个数字代表序号。

如果还有第五部分就是更细分了。

关于命名大致了解一下即可，没必要记住，真的需要时可以临时搜一下。